加圧窒化法の英語

また、本発明の窒化鉄微粒子は例えば、減圧容器１７内で、鉄２０を加熱して蒸発させ、蒸発させた鉄２１を、窒素プラズマ１２ａを介して窒化鉄微粒子として液体媒体１５ａの表面に付着させ、得られた付着物を回収することを含む方法によって製造される。例文帳に追加

The iron nitride fine particles are produced, e.g. by a method including: vaporizing iron 20 by heating in a vacuum vessel 17; depositing the vaporized iron 21 on a surface of a liquid medium 15a as iron nitride fine particles through a nitrogen plasma 12a; and recovering the resulting deposit. - 特許庁

多層からなる窒化ホウ素ナノチューブを水及び有機溶媒からなる混合溶媒中に添加し、超音波処理して分散液とする工程と、分散液を圧力容器中で加熱する工程と、を備え、窒化ホウ素ナノチューブの外壁寸法を、分散液の加熱によるエッチングで制御する。例文帳に追加

The method includes a step of adding multilayer boron nitride nanotubes in a mixture solvent comprising water and an organic solvent and subjecting the mixture to ultrasonic treatment to obtain a dispersion liquid, and a step of heating the dispersion liquid in a pressurized chamber so as to control the dimension of the outer walls of boron nitride nanotubes by etching by heating the dispersion liquid. - 特許庁

シリコン窒化膜の形成方法は、減圧ＣＶＤ装置内を７００度よりも低い温度に加熱すると共に窒素を含む原料ガス及びシラン系ガスを導入して、金属電極上にシリコン窒化膜を形成する工程と、該工程の後、温度を７００度よりも高い温度に変更して再度シリコン窒化膜を形成する工程とを有する。例文帳に追加

The method of forming the silicon nitride film includes the steps of heating an interior of a reduced pressure CVD device to a temperature lower than 700 degrees, introducing raw material gas containing nitrogen and silane system gas, thereby forming a silicon nitride film 60 on a metal electrode; and thereafter changing the temperature to a temperature higher than 700 degrees and forming the silicon nitride film 70 again. - 特許庁

昇華法によって形成される窒化アルミニウム単結晶２４用の原料２２であって、窒化アルミニウム粉末と有機バインダとを含んでなる組成物を、圧粉成型後、加熱して有機バインダを除去し、さらに焼成して粉末粒子同士の合一化を行って得られる。例文帳に追加

The raw material 22 for an aluminum nitride single crystal 24 formed by a sublimation method is obtained by green compaction of a composition comprising an aluminum nitride powder and an organic binder, then heating to remove the organic binder, and further firing to unify the powder particles. - 特許庁

本発明の実施の形態に係る製造方法においては、再焼結工程を行い（Ｓ３）、その後、圧力を加えることによってこのスクライブライン１１に沿ってこの窒化珪素焼結体１０を分割し、窒化珪素基板１５を得る（分割工程：Ｓ４）。例文帳に追加

A resintering process is executed (S3), in the manufacturing method, and the silicon nitride sintered body 10 is divided thereafter along the scribing line 11 by applying pressure, to obtain a silicon nitride substrate 15 (division process S4). - 特許庁

効率的な製造方法として、板表面の平均粗さを冷間圧延あるいは加熱焼鈍後のスキンパス圧延や矯正などの加工によって上記範囲に制御するとともに、冷間圧延板を洗浄した後に窒素ガス中にて７５０〜８３５℃で１〜６０秒加熱することによって式（１）の値が４〜１０の表面窒化に制御すると同時に焼鈍を成し得る。例文帳に追加

Simultaneously, the center line average height of roughness (Ra) of the sheet surface is made to 0.05 to 0.5 μm. - 特許庁

製法は、主材料の窒化硼素粉末に炭素粉末を加えた混合粉末を微粉砕すると共に水分と反応させて硼素酸化物を生成させ、得られた微粉末を加圧成形し、その成形体を不活性雰囲気下で常圧焼結する。例文帳に追加

The composite material is produced by adding carbon powder to boron nitride powder of a main component to give mixed powder, pulverizing the mixed powder, reacting the pulverized powder with water to form boron oxide, subjecting the obtained fine powder to pressure forming and sintering the molding product in an inert atmosphere under normal pressure. - 特許庁

陽極２０と陰極３０との間にパルス電圧を印加することによって被処理水１５中の窒素化合物を電解処理する窒素化合物の処理方法であって、パルス電圧制御手段６０によって前記パルス電圧のパルス幅およびデューティ比を所定の範囲に制御することを特徴とする。例文帳に追加

In the method for treating a nitrogen compound where pulse voltage is applied to the space between an anode 20 and a cathode 30, thus a nitrogen compound in the water 15 to be treated is subjected to electrolytic treatment, the pulse width and duty ratio of the pulse voltage are controlled to prescribed ranges by a pulse voltage controlling means 60. - 特許庁