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機械工学英和和英辞典での「加圧窒化法」の英訳

加圧窒化法


「加圧窒化法」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 50



例文

シリコンと素とを含む第1のガスと、素と水素とを含む第2のガスと、を減雰囲気において熱した触媒に作用させることにより、シリコン膜を形成することを特徴とするシリコン膜の形成方を提供する。例文帳に追加

A first gas containing silicon and nitrogen and a second gas containing nitrogen and oxygen are made to act on a heated catalyst in a pressure-reduced atmosphere, thus forming the silicon nitride film. - 特許庁

熱間成形で製造する硼素成形体の、製造中の割れを低減する。例文帳に追加

To suppress the crazing of a boron nitride molding produced by a hot press molding method during production. - 特許庁

六方晶ホウ素粉を含む一軸成形体に、第1と第2の少なくとも2回の冷間等方処理を増して行った後、焼成することを特徴とするホウ素焼成体の製造方例文帳に追加

In the method for producing a boron nitride fired compact, a uniaxially pressed body comprising hexagonal boron nitride powder is subjected to at least first and second two cold isostatic pressing treatments in such a manner that pressure is increased, and thereafter, firing is performed. - 特許庁

本発明の実施形態による酸物蛍光体の製造方は、一般式(Sr,Eu)_2Si_5N_8で表される合物、ケイ素またはケイ素粉、およびアルミニウムを混合し、素雰囲気中で焼成する工程を含むことを特徴とするものである。例文帳に追加

The process for the production of the oxynitride fluorescent substance includes a step of mixing a compound represented by the general formula: (Sr, Eu)_2Si_5N_8, silicon nitride or silicon powder, and aluminum nitride, and then firing the mixture in a nitrogen atmosphere under high pressure. - 特許庁

は、原料の混合物を、成形し、焼成して得られる黒鉛系複合材の製造方において、混合物が、炭素材と、ニッケルと、アルミニウム又はアルミニウム、炭けい素、炭ほう素とであり、焼成する温度がアルミニウムの分解温度以下である。例文帳に追加

In the method for manufacturing the graphite-based composite material obtained by press forming and calcining the mixture of the source material, the mixture consists of the carbon material, nickel and aluminum nitride or aluminum nitride, silicon carbide and boron carbide, and the calcining temperature is equal to or lower than the decomposition temperature of aluminum nitride. - 特許庁

チタン板の表面に厚さが5μmを超えて10μm未満である層を処理によって形成したチタン板を用いて、チタン板の層とスポット電極とを接触させてスポット溶接することを特徴とするスポット電極溶着現象の発生を抑制したチタン板のスポット溶接方例文帳に追加

In the titanium plate spot-welding method in which generation of a spot electrode welding phenomenon is suppressed, the titanium nitride plate in which a nitride layer having a thickness of >5 to <10 μm is formed on the surface of the titanium plate by a nitriding treatment is used, and the nitride layer of the titanium nitride plate and a spot electrode are brought into pressurized-contact with each other for spot welding. - 特許庁

例文

珪素粉末に、マグネシウムの合物と、イットリウム及びランタニド族の群からなる1種以上の酸物とを添した混合粉末を成形してなる表面粗さ(Ra値)が0.3μm以下である平板状の珪素質成形体を用い、下、1750〜1900℃の所定の焼成温度下で焼結する珪素焼結体の製造方例文帳に追加

The method for manufacturing a silicon nitride sintered compact comprises sintering a planar silicon nitride compact, which is obtained by compacting a powdery mixture obtained by adding a magnesium compound and the oxides of at least one metal selected from the group of yttrium and lanthanide group to silicon nitride powder and has 0.3 μm or smaller surface roughness (Ra value), in pressurized nitrogen atmosphere at 1,750-1,900°C. - 特許庁

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日英・英日専門用語辞書での「加圧窒化法」の英訳

加圧窒化法


「加圧窒化法」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 50



例文

また、本発明の鉄微粒子は例えば、減容器17内で、鉄20を熱して蒸発させ、蒸発させた鉄21を、素プラズマ12aを介して鉄微粒子として液体媒体15aの表面に付着させ、得られた付着物を回収することを含む方によって製造される。例文帳に追加

The iron nitride fine particles are produced, e.g. by a method including: vaporizing iron 20 by heating in a vacuum vessel 17; depositing the vaporized iron 21 on a surface of a liquid medium 15a as iron nitride fine particles through a nitrogen plasma 12a; and recovering the resulting deposit. - 特許庁

多層からなるホウ素ナノチューブを水及び有機溶媒からなる混合溶媒中に添し、超音波処理して分散液とする工程と、分散液を力容器中で熱する工程と、を備え、ホウ素ナノチューブの外壁寸を、分散液の熱によるエッチングで制御する。例文帳に追加

The method includes a step of adding multilayer boron nitride nanotubes in a mixture solvent comprising water and an organic solvent and subjecting the mixture to ultrasonic treatment to obtain a dispersion liquid, and a step of heating the dispersion liquid in a pressurized chamber so as to control the dimension of the outer walls of boron nitride nanotubes by etching by heating the dispersion liquid. - 特許庁

シリコン膜の形成方は、減CVD装置内を700度よりも低い温度に熱すると共に素を含む原料ガス及びシラン系ガスを導入して、金属電極上にシリコン膜を形成する工程と、該工程の後、温度を700度よりも高い温度に変更して再度シリコン膜を形成する工程とを有する。例文帳に追加

The method of forming the silicon nitride film includes the steps of heating an interior of a reduced pressure CVD device to a temperature lower than 700 degrees, introducing raw material gas containing nitrogen and silane system gas, thereby forming a silicon nitride film 60 on a metal electrode; and thereafter changing the temperature to a temperature higher than 700 degrees and forming the silicon nitride film 70 again. - 特許庁

昇華によって形成されるアルミニウム単結晶24用の原料22であって、アルミニウム粉末と有機バインダとを含んでなる組成物を、粉成型後、熱して有機バインダを除去し、さらに焼成して粉末粒子同士の合一を行って得られる。例文帳に追加

The raw material 22 for an aluminum nitride single crystal 24 formed by a sublimation method is obtained by green compaction of a composition comprising an aluminum nitride powder and an organic binder, then heating to remove the organic binder, and further firing to unify the powder particles. - 特許庁

本発明の実施の形態に係る製造方においては、再焼結工程を行い(S3)、その後、力をえることによってこのスクライブライン11に沿ってこの珪素焼結体10を分割し、珪素基板15を得る(分割工程:S4)。例文帳に追加

A resintering process is executed (S3), in the manufacturing method, and the silicon nitride sintered body 10 is divided thereafter along the scribing line 11 by applying pressure, to obtain a silicon nitride substrate 15 (division process S4). - 特許庁

効率的な製造方として、板表面の平均粗さを冷間延あるいは熱焼鈍後のスキンパス延や矯正などの工によって上記範囲に制御するとともに、冷間延板を洗浄した後に素ガス中にて750〜835℃で1〜60秒熱することによって式(1)の値が4〜10の表面に制御すると同時に焼鈍を成し得る。例文帳に追加

Simultaneously, the center line average height of roughness (Ra) of the sheet surface is made to 0.05 to 0.5 μm. - 特許庁

は、主材料の硼素粉末に炭素粉末をえた混合粉末を微粉砕すると共に水分と反応させて硼素酸物を生成させ、得られた微粉末を成形し、その成形体を不活性雰囲気下で常焼結する。例文帳に追加

The composite material is produced by adding carbon powder to boron nitride powder of a main component to give mixed powder, pulverizing the mixed powder, reacting the pulverized powder with water to form boron oxide, subjecting the obtained fine powder to pressure forming and sintering the molding product in an inert atmosphere under normal pressure. - 特許庁

例文

陽極20と陰極30との間にパルス電を印することによって被処理水15中の合物を電解処理する合物の処理方であって、パルス電制御手段60によって前記パルス電のパルス幅およびデューティ比を所定の範囲に制御することを特徴とする。例文帳に追加

In the method for treating a nitrogen compound where pulse voltage is applied to the space between an anode 20 and a cathode 30, thus a nitrogen compound in the water 15 to be treated is subjected to electrolytic treatment, the pulse width and duty ratio of the pulse voltage are controlled to prescribed ranges by a pulse voltage controlling means 60. - 特許庁

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